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  • 喜讯!我国石墨烯基区晶体管技术取得重大突破

    据中国科学院报道,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员在《自然-通讯》(Nature Communications)上在线发表了题为《垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管》(A vertical silicon-graphene-germanium transistor)的研究论文。我国科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,可将其截止频率由兆赫兹(MHz)提升至吉赫兹(GHz)领域,并在未来有望实现工作于太赫兹(THz)领域的高速器件。 1947年,第一个双极结型晶体管(

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